Fremstillingsproces for anti -reflekterende film

Teknologisk proces
Giv vækstmaterialer og gaskilder: Tilvejebring vækstmaterialer til den anti -reflekterende film, såsom SIO i nogle udførelsesformer, mens gaskilder svarer til vækstmaterialerne, såsom SIH ₄, N ₂ O og N ₂ GAS -kildekombinationer .
Formation of anti reflection layer: Use the same growth material to sequentially form at least two anti reflection layers of anti reflection film on the substrate layer. The substrate layer can include SiO layer, Si layer, and absorption layer in sequence along the direction of film growth. Taking the two-layer anti reflection layer (first anti reflection layer and second anti reflection layer) as an example, it is formed by Epitaksial vækstproces (såsom plasmaforbedret kemisk dampaflejringsmetode PECVD) . De specifikke trin er som følger:
Substratbehandling: Efter halvlederrensningsprocessen på substratlaget skal du placere substratlaget på CVD -deponeringsudstyr .
Indstillinger for udstyrsparameter: Kontroller den øverste elektrodetemperatur på CVD -afsætningsudstyr til 200-300 grad og den nedre elektrodetemperatur til 250-350 grad .
Vækst af det første anti -reflektionslag: Juster de første deponeringsparametre for CVD -deponeringsudstyr, inklusive den første volumenstrømningshastighed for SIH ₄, n ₂ O og N ₂, det første gastryk, den første RF -effekt af CVD -deponeringsudstyret, den første tyndfilmaflejringstid, osv. og et brydningsindeksområde på 1.4-1.71.
Vækst af et andet anti -reflektionslag: Juster de anden deponeringsparametre for CVD -deponeringsudstyr, inklusive den anden volumenstrømningshastighed for SIH ₄, n ₂ o, og n ₂, det andet gastryk, den anden RF -effekt af CVD -deponeringsudstyret, det andet tyndfilmaflejningstid, osv.., eller enhver kombination derof, til at vokse et andet antireflektionslag på det første anti -refleksionslaget, med en række 10-200 nm og et brydningsindeksområde på 1.4-1.71.

Teknologiske fordele
Ved at bruge det samme vækstmateriale kan anti -reflektionsfilmen opnå den samme anti -reflektionseffekt sammenlignet med stablede anti -reflektionsfilm af forskellige materialer, reducere de anvendte typer af gaskilder, sænke vanskeligheden ved forberedelsesprocessen og øge forberedelsesområdet og arbejdsområdet på grund af opbevaring og anvendelse af gaskilder under forberedelsesprocessen .

Fremstillingsproces for hybrid sio ₂/tio ₂ Anti -reflekterende film

Teknologisk proces
Fremstilling af substrat: Vælg gennemsigtige underlag såsom glas, organisk glas, polyimidfilm osv. ., og udfører fjernelse af pletter for at sikre en ren og støvfri overflade . om nødvendigt kan en-sidet eller dobbeltsidet polering udføres for at forbedre lysoverførselseffektiviteten .}
Fremstilling af filmforløber: tetraethoxysilan (TEOS) og tetrabutyltitanat (TBT) tilsættes ethanol, der indeholder NH ₄ åh i en bestemt andel, og reaktionen holdes for 9-12 timer for at opnå et gennemsigtigt sol -gel -system .
Belægning og hærdning: Det tilberedte solgelsystem er jævnt belagt på det gennemsigtige underlag, og spinbelægning, sprøjtning, børstning og andre skemaer kan bruges . efter belægning, hybrid sio ₂/tio ₂ filmforgang placeres i en ovn til hærdning og annealing behandling, hvilket danner en multi-layer struktur {{{{}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}
Cirkulær belægning: Gentag belægnings- og hærdningsprocessen, indtil den ønskede anti -reflekterende effekt opnås . Forskellige belægningstider og sekvenser vil påvirke ydelsen af anti -reflekterende film, og forskning og optimering er nødvendig .
Overfladebehandling: For at øge holdbarheden og stabiliteten af den anti -reflekterende film kan et lag hydrofil og hydrofob polymer coates på overfladen af den anti -reflekterende film .

Fremstillingsproces med infrarød anti -reflekterende film
Teknologisk proces
Den infrarøde anti -reflektionsfilm er baseret på silicium og coatet med anti -reflektionsfilm på begge sider af underlaget . Filmsystemstrukturen i anti -reflektionsfilmen er uafhængig af hinanden som (hl) ^ s, hvor h repræsenterer si -lag, l repræsenterer sio -laget, s repræsenterer perioden for hl -basisstrukturen, og værdien af S er en integer støder op til underlaget, og SiO -laget er placeret på overfladen . Belægningsprocessen bruges til at fastgøre filmlaget til underlaget, med SIO -filmlag, da det yderste lag, der har høj overfladehårdhed og ikke kræver et yderligere beskyttende lag . yderligere, har Sio et lavere brydningsindeks, hvilket kan reducere overfladereflektiviteten og yderligere øge Infraret infrit. transmission .

Fremstillingsproces med høj temperatur resistent co ₂ laser anti-reflekterende film
teknologisk proces
Materiel Pre -smeltning: Separat behandling før smeltning udføres på yttriumfluorid, calcium yttriumfluorid og zinkselenidfilmmaterialer for at fjerne urenheder inde i filmmaterialet .
Deposition film layer: The first yttrium fluoride layer, yttrium calcium fluoride layer, zinc selenide layer, and second yttrium fluoride layer are sequentially deposited on a zinc selenide substrate layer with a thickness of 3 ± 0.1mm by vacuum evaporation. The coverage area of each layer is over 95% of the surface area of the Substratlag . Kravene til fysisk tykkelse for hvert lag er som følger: Den fysiske tykkelse af det første yttriumfluoridlag er 95-100 nanometre; Den fysiske tykkelse af ytterbium -calciumfluoridlaget er 860-870 nanometre; Den fysiske tykkelse af zinkselenidlaget er 240-250 nanometre; Den fysiske tykkelse af det andet yttriumfluoridlag er 95-100 nanometer.
 

Teknologiske fordele
The prepared anti reflection membrane has a simple structure and exquisite design. The four layer combination has the characteristics of high temperature resistance, high transmittance, firm membrane layer, complementary stress between membrane layers, and non rupture of membrane layers. It can meet the continuous operation of components under high temperature conditions, and the materials used in each layer are non radioactive, which will not cause damage to operatører og miljø .